GB/T 42271-2022半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法
發(fā)布時間： 2023-08-23 11:04:49 點擊： 335
GB/T 42271-2022半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法
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半絕緣碳化硅單晶是一種半導(dǎo)體材料，具有高電阻率和寬禁帶特性，被廣泛應(yīng)用于高壓器件、射頻器件和高溫器件等領(lǐng)域。特別是在氮化鎵射頻器件、電力電子、微波射頻器件、發(fā)光二極管等應(yīng)用方面具有極大的潛力。
半絕緣碳化硅單晶的生長通常采用物理氣相輸運(yùn)技術(shù)，如高溫氯化物化學(xué)氣相沉積法，其工藝復(fù)雜，設(shè)備昂貴，且生長速率極低。因此，半絕緣碳化硅單晶襯底材料的制備面臨諸多挑戰(zhàn)。
電阻率非接觸測試方法是一種測量材料電阻率的方法，該方法不需要直接接觸材料表面，而是通過測量材料表面的電特性來計算電阻率。這種測試方法適用于一些不能直接接觸測量的情況，例如在高電壓、高溫或特殊環(huán)境下的材料測量。
常見的電阻率非接觸測試方法包括：
電容法：該方法通過測量材料的電容來計算電阻率。通過改變電極之間的距離和電壓，可以測量不同情況下的電容值，并由此計算出材料的電阻率。
磁阻法：該方法通過測量材料的磁阻來計算電阻率。在磁場中，通過測量導(dǎo)體中的電壓和電流，可以計算出電阻率。
光學(xué)法：該方法通過測量材料的光學(xué)特性來計算電阻率。例如，通過測量材料的反射和透射光譜，可以計算出材料的電阻率。
