GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
發(fā)布時間： 2023-08-23 13:01:34 點擊： 293
GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
規(guī)定了用擴展電阻探針法測定硅片的電阻率的方法。該標準適用于半導體器件和材料中硅片的電阻率測試。
根據(jù)標準，測試設備應包括探針、放大器、信號發(fā)生器、示波器、電源和測試夾具等。測試時，將硅片放在測試夾具上，將探針與硅片接觸并將探針固定在測試夾具上。然后，通過信號發(fā)生器和放大器在硅片上施加一個小的交流電壓，同時觀察示波器上的讀數(shù)。通過這些讀數(shù)，可以計算出硅片的電阻率。
需要注意的是，這種方法適用于厚度大于0.5mm的硅片。對于更薄的硅片，可以使用其他方法來測試其電阻率。此外，測試結(jié)果也會受到探針與硅片接觸電阻、測試環(huán)境的溫度和濕度等因素的影響。因此，在進行測試時，需要控制測試條件并采取必要的修正措施，以保證測試結(jié)果的準確性。
硅片電阻率的測定是評估硅材料導電性能的重要參數(shù)之一。在半導體工業(yè)中，硅片的電阻率對于器件的性能和電路設計具有重要意義。
硅片電阻率的測定方法有多種，其中包括擴展電阻探針法、電容法、霍爾效應法等。這些方法各有優(yōu)缺點，需要根據(jù)具體的測試要求和應用場景選擇適合的方法。
擴展電阻探針法是一種常用的測試方法，它通過在硅片上接觸探針并施加交流電壓，測量硅片的電阻值。該方法具有測量精度高、測試結(jié)果可靠等優(yōu)點，但需要使用昂貴的測試設備和技術(shù)。
電容法是通過測量硅片的電容來計算其電阻率，該方法具有測試速度快、設備簡單等優(yōu)點，但測試結(jié)果受溫度和濕度等因素的影響較大。
霍爾效應法是通過測量硅片在磁場中的電導率來計算其電阻率，該方法具有測試精度高、設備簡單等優(yōu)點，但測試結(jié)果受溫度和厚度等因素的影響較大。
需要注意的是，不同測試方法的測試結(jié)果可能存在差異，因此需要根據(jù)具體情況選擇適合的方法進行測試。同時，測試結(jié)果也會受到測試條件、設備誤差、環(huán)境因素等因素的影響，需要進行必要的修正和校準，以保證測試結(jié)果的準確性。
