GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測試方法
發(fā)布時間： 2023-08-23 13:33:52 點擊： 499
GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測試方法
這是一個關于銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測試方法的標準。它規(guī)定了使用四探針法測量銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測試方法。
在四探針法中，使用四個探針按照直線排列，分別與材料接觸，然后通過電源向材料施加一定的電流，同時測量材料兩端的電壓。根據(jù)歐姆定律，可以計算出材料的電阻率。
四探針法只能測量材料的平均電阻率，無法測量材料的局部不均勻性和突變。此外，測試結果受到探針與材料接觸電阻、測試環(huán)境的溫度和濕度等因素的影響。因此，在進行測試時，需要控制測試條件并采取必要的修正措施，以保證測試結果的準確性。
銻化銦單晶電阻率為5.76 × 10^-4 Ω·m。
霍耳系數(shù)，又稱霍爾效應（Hall effect），是指當固體導體放置在一個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產(chǎn)生電壓（霍爾電壓）的現(xiàn)象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成?；魻栃?879年由埃德溫·赫伯特·霍爾（Edwin Herbert Hall）發(fā)現(xiàn)。除導體外，半導體也能產(chǎn)生霍爾效應，而且半導體的霍爾效應要強于導體。
